Японские ученые разработали инновационный метод производства полупроводников из нитрида галлия (GaN), который не требует использования аммиака, токсичного вещества, нуждающегося в сложной утилизации. Это открытие позволяет производить GaN более экологичным и экономичным способом, снижая затраты на сырье и энергию.
Исследовательская группа из Университета Нагоя обнаружила способ производства GaN без использования аммиака, заменяя его на более безопасные вещества. GaN — это соединение галлия и азота, используемое в различных высокотехнологичных устройствах, таких как базовые станции, адаптеры для зарядки, средства микроволновой и миллиметровой связи, а также радарные системы.
Традиционный метод получения пленок GaN основан на металлоорганическом химическом осаждении из паровой фазы с использованием аммиака в качестве источника азота. Однако этот процесс требует большого количества аммиака, который является токсичным и сложным в утилизации.
«В результате требуется большой расход аммиака, который является очень токсичным и едким газом, что составляет большую часть, до половины, общей стоимости производства».
– Арун Дхасиян, исследователь
Исследователи из Университета Нагоя предложили альтернативный метод, известный как REMOCVD. Этот метод использует активированный азот, получаемый с помощью высокочастотного напряжения. Преимуществом нового метода является возможность выращивания полупроводников при более низких температурах, что снижает затраты на производство и уменьшает количество примесей в конечном продукте.
Метод REMOCVD также исключает необходимость использования аммиака, что упрощает процесс и делает его более безопасным для окружающей среды. Ученые ожидают, что их разработка позволит создать более эффективные полупроводниковые устройства, работающие при низком энергопотреблении.
«Мы вырастили слои GaN, нитрида индия и нитрида алюминия методом REMOCVD и обнаружили, что эти материалы можно выращивать при гораздо более низких температурах, без использования газообразного аммиака».
– Арун Дхасиян, исследователь
Этот инновационный метод имеет потенциал заменить традиционные способы производства GaN и других полупроводников, обеспечивая экологически безопасное и экономически выгодное производство.
Нет комментариев