Ученые представили лучшие научные достижения. Исследования ИФП СО РАН
В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН подвели итоги традиционного конкурса научных работ. В конкурсе приняли участие как молодые ученые, так и опытные специалисты, представив лучшие результаты в области фундаментальных и прикладных исследований.
Конкурс был посвящен 60-летию Института. Директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Латышев подчеркнул значимость мероприятия и отметил вклад всех участников.
Победительницей в категории «Фундаментальные исследования» стала доктор физико-математических наук Наталья Степина. Ее доклад был посвящен исследованию аномального магнетосопротивления и нелинейного эффекта Холла в пленках трехмерного топологического изолятора (Bi, Sb)2(Te, Se)3.
«Трехмерный топологический изолятор — новое состояние квантовой материи, заключающееся в том, что объем материала — узкозонный полупроводник, а поверхность представляет собой уникальный металл, состояния которого описываются релятивистским уравнением Дирака»
— Наталья Степина, ведущий научный сотрудник лаборатории неравновесных полупроводниковых систем ИФП СО РАН.
Максим Аксенов, кандидат физико-математических наук и заведующий молодежной лабораторией, выиграл в категории «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Его доклад был посвящен исследованию влияния морфологии поверхности InAlAs и отжига на электрофизические параметры Ti/InAlAs контактов Шоттки. Разработки Аксенова направлены на создание мощных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки.
«В работе самое запоминающееся — результаты, которых не ожидаешь»
— Максим Аксенов, заведующий молодежной лабораторией физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников A3B5 №12 ИФП СО РАН.
Надежда Небогатикова, старший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур, представила доклад о создании новых материалов для гибкой электроники с использованием графена. Её работа заняла второе место в категории «Фундаментальные исследования».
«Селенид висмута, выращенный на графене, может выдерживать большие растяжения или изгибы, при которых раньше бы произошло растрескивание»
— Надежда Небогатикова, старший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН.
Всего в конкурсе было отмечено пять победителей: трое в категории «Фундаментальные исследования» и двое в категории «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Конкурс показал высокий уровень научных достижений сотрудников ИФП СО РАН и их вклад в развитие физики полупроводников и нанотехнологий.
