Кремний десятилетиями был незаменимым элементом в электронике, но его возможности почти исчерпаны. Сегодня ученые представили альтернативу, которая может изменить всю индустрию — транзистор нового поколения, способный работать быстрее, стабильнее и занимать меньше места.
Исследовательская команда из Института промышленной науки Токийского университета разработала транзистор на основе оксида индия с добавлением галлия — материала, который позволяет электронам двигаться свободнее, чем в традиционном кремнии. Это означает более высокую скорость работы и устойчивость при больших нагрузках.
Ключевая инновация — уникальная конструкция, в которой управляющий элемент (затвор) охватывает канал со всех сторон. Такой подход не только экономит пространство на микросхеме, но и повышает контроль над электрическими потоками, улучшая эффективность.
«Электроны в новом транзисторе движутся быстрее, чем в большинстве аналогов, а устройство остается стабильным даже под значительной нагрузкой»
— Команда Института промышленной науки Токийского университета
Тесты показали, что транзистор надежно работает почти три часа в сложных условиях — это серьёзное достижение для новой технологии. Кроме того, он адаптирован к дальнейшему уменьшению размеров, что особенно важно для современных процессоров, где каждый нанометр на вес золота.
Если разработки продолжат подтверждать свою эффективность, транзисторы на основе оксида индия могут стать новой основой всей электроники — от смартфонов и ноутбуков до суперкомпьютеров и искусственного интеллекта. Мир стоит на пороге перехода в посткремниевую эпоху, и она начинается именно с таких прорывов.
