Контактная литография. Как ФИАН помогает научным исследованиям с новыми технологиями

Ученые Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) представили на форуме «Микроэлектроника-2024» установку для контактной масочной литографии. Это оборудование позволит существенно сократить время и ресурсы, необходимые для создания опытных микроструктур, что окажет влияние на развитие микроэлектроники и фотоники.

Контактная масочная литография — процесс, при котором на подложку наносят рисунок с помощью специальной маски, после чего выполняют операции травления или осаждения металла. Этот метод позволяет создавать металлические контактные дорожки, волноводы и другие элементы микроэлектронных схем. Новая установка, созданная учеными ФИАН, ускоряет этот процесс, делая его более доступным для лабораторий, занимающихся исследованиями в области материаловедения и электроники.

"Установка контактной масочной литографии позволяет быстро создать тестовую структуру без использования сложных индустриальных технологий."

— Арслан Галиуллин, младший научный сотрудник ФИАН

В ФИАН установка используется для работы с графеном, для которого нужно создавать сложные электрические контакты на очень малых участках. Как пояснил младший научный сотрудник Арслан Галиуллин, такая техника позволяет за несколько минут создавать образцы, используя заранее подготовленные маски, что важно для проведения научных экспериментов. Хотя установка не предназначена для массового производства и не поддерживает субмикронное разрешение, она оказалась востребованной не только в научных лабораториях, но и в исследовательских подразделениях производственных компаний.

На форуме также был представлен прототип установки проекционной безмасочной литографии, который находится на стадии разработки. В отличие от контактной литографии, эта установка позволяет программно задавать произвольные рисунки, открывая новые возможности для создания различных микроструктур. Она может использоваться для производства масок и устройств, которые работают по шаблонам, что расширяет её применение в микроэлектронике.

Источник: Научная Россия