Создание отечественной электроники. Импортные детекторы заменят разработки ТГУ и ИЯФ СО РАН

Создание отечественной электроники. Импортные детекторы заменят разработки ТГУ и ИЯФ СО РАН

Работы по созданию отечественных датчиков, способных заменить импортные аналоги, активно ведутся в России. Это направление является ключевым для обеспечения независимости страны в области электроники. В ТГУ ведется разработка новых типов сенсоров, включая многофункциональные устройства на основе арсенида галлия и экспериментальные образцы кремниевых микрополосковых датчиков для использования в российских детекторах.

Первая партия этих сенсоров рентгеновского диапазона уже направлена в Новосибирский институт ядерной физики СО РАН для тестирования.

На базе лаборатории детекторов синхротронного излучения Центра «Перспективные технологи в микроэлектронике» ТГУ спроектированы микрополосковые сенсоры рентгеновского излучения под задачи, которые будут выполняться на исследовательских станциях ЦКП «СКИФ». В качестве основы для них используются пластины выскоомного кремния. Мы подготовили техническое задание, которое является необходимым условием для запуска разработки в промышленное производство.

  • Антон Тяжев, один из разработчиков, научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ

На данный момент на одном из отечественных производств была выпущена первая серия данных датчиков. Их предварительные испытания подтвердили их пригодность для использования в составе многоэлементных систем, необходимых для оснащения синхротронной станции СКИФ. Этот проект представляет собой передовой источник синхротронного излучения категории 4+, который строится недалеко от Новосибирска в Кольцово и будет включать 30 исследовательских площадок, что позволит значительно повысить уровень научных исследований в России.

Ученые ТГУ совместно с ИЯФ СО РАН уже разработали первый отечественный детектор для анализа быстродействующих процессов, который планируется установить на одной из первых станций СКИФ. Это устройство – координатный детектор GINTOS на полупроводниках, способный выдерживать экстремальные энергетические нагрузки. Для станции первой очереди требуется разработка еще четырех подобных детекторов, над чем работают специалисты ИЯФ СО РАН и ТГУ.

Экспериментальные микрополосковые сенсоры были переданы в ИЯФ СО РАН для изучения их свойств при воздействии мощными потоками синхротронного рентгеновского излучения.

Сенсоры наших томских коллег использованы в опытном образце детектора, который сейчас проходит тестирование. Такие детекторы будут востребованы на синхротронных источниках и для лабораторных дифрактометров. Сейчас мы исследуем вольт-амперные характеристики детектора: сравниваем ток на образце нашего детектора российского производства и зарубежного аналога.

  • Лев Шехтман, главный научный сотрудник ИЯФ СО РАН, ведущий научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ

Согласно заявлениям разработчиков, на данный момент нет полностью российских кремниевых сенсоров, соответствующих требованиям СКИФ. Основная задача ученых – преодолеть этот барьер для продвижения отечественной электроники. Важно отметить, что такие детекторы обеспечивают высокоточные измерения.

Разработка детектора осуществляется с поддержкой гранта правительства РФ в рамках проекта «Фундаментальные основы физики и технологии радиационно-устойчивых полупроводниковых структур», направленного на создание многоэлементных датчиков для исследований и инфраструктуры синхротронного центра нового поколения СКИФ, а также других крупномасштабных научных проектов в России.

Фото пресс-службы ТГУ

Гамма-излучение
Лидар и рамановская спектроскопия. Ученые объединяются, исследуя прошлое ради будущего