Для микроэлектроники. Разработан прототип источника излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн

Исследователи НИУ «МЭИ» разработали экспериментальный образец источника излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн (ЭУФ).

Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника, востребованного технологией ЭУФ литографии, которая применяется в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схем, в результате чего увеличивается их быстродействие и уменьшается размер изделия.

По сравнению с существующими импульсными источниками ЭУФ излучения, в которых создание и нагрев плазмы осуществляется с помощью электрического разряда с использованием сжатия разряда в газах под действием протекающего по нему тока. Новый источник излучения может работать в стационарном режиме с относительно высоким уровнем общего КПД.

«Новые решения, разработанные нашими учеными, направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники и связаны с задачами технологического суверенитета России. Примечательно, что созданная в НИУ «МЭИ» установка с магнитным удержанием мощного плазменного разряда для испытания материалов токамака-реактора нашла целый ряд востребованных в настоящее время приложений в различных областях техники.

• Николай Рогалев, ректор НИУ «МЭИ»

Экспериментальный комплекс и перспективный источник излучения на его основе разработаны коллективом ученых на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ «МЭИ».​​

Изображение на обложке: freepik