Универсальные критические индексы. Ученые изучили особенности генерации эрбиевых волоконных лазеров

Универсальные критические индексы. Ученые изучили особенности генерации эрбиевых волоконных лазеров

Российские ученые при участии исследователей из НИУ ВШЭ изучили особенности генерации эрбиевых волоконных лазеров и вывели универсальные критические индексы для расчета их характеристик и режима работы. Результаты исследования помогут предсказывать и оптимизировать параметры лазеров для высокоскоростных систем связи, спектроскопии и других областей оптических технологий. Исследование опубликовано в журнале Optics & Laser Technology.

Эрбиевые волоконные лазеры — это устройства, в которых свет генерируется в волокне, содержащем ионы редкоземельного элемента эрбия. Такие лазеры работают на длине волны около 1,5 микрометра и идеально подходят для передачи данных на большие расстояния с минимальными потерями. Излучение на других длинах волн при прохождении через оптоволокно нуждается в усилении каждые 20–30 километров, а излучению эрбиевых лазеров требуется в 2–3 раза меньше усилителей, что снижает затраты на оборудование и эксплуатацию. Кроме того, эрбиевые лазеры способны создавать излучение с узкой спектральной линией (менее 1 кГц), применяемое в высокоточных оптических сенсорах и датчиках.

По мере того как требования к скорости и объему передачи данных растут, возникает необходимость в миниатюризации лазеров и уменьшении длины резонаторов при сохранении их эффективности. Резонатор — часть лазера, состоящая из двух зеркал и отвечающая за усиление света при его многократном прохождении через активную среду.

В зависимости от длины резонатора и концентрации ионов эрбия лазер может работать в разных режимах — импульсном или непрерывном. Основная сложность в том, что при уменьшении размера резонатора необходимо повышать концентрацию ионов эрбия. Это приводит к переходу лазера в импульсный режим, который может вызвать нестабильность передачи данных, ограничение мощности и повышение уровня шумов.

Группа российских ученых при участии физиков из НИУ ВШЭ подготовила два вида активных волокон для семи лазеров и сравнила, как концентрация ионов эрбия (от 0,03 до 0,3%) влияет на параметры лазера. В результате им удалось определить параметры активной среды и накачки, при которых можно одновременно сохранить короткую длину резонатора и обеспечить непрерывное излучение, а также параметры, при которых происходит переход из непрерывного режима в импульсный.

Смена непрерывного режима на импульсный в некотором роде схожа с классическим фазовым переходом, который подчиняется математическим законам и характеризует процессы в других системах, например в жидкостях или твердых телах. Для лазеров с высокой концентрацией ионов эрбия характерны два порога: первый связан с началом генерации в импульсном режиме, а второй — с переходом в непрерывный режим. Эти законы близки к степенным зависимостям и описывают, как параметры лазера меняются вблизи порога генерации.

  • Олег Бутов, заместитель директора, руководитель лаборатории волоконно-оптических технологий Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Исследователи впервые экспериментально определили критические индексы для эрбиевых лазеров — значения углов наклона логарифмических зависимостей частоты, длительности и амплитуды лазерных импульсов от мощности лазерного излучения.

Мы определили, что вычисленные зависимости универсальны для эрбиевых лазеров с существенно различающимся составом сердцевины активного световода, длиной и добротностью резонатора (мерой, определяющей отношение запасенной энергии к расходуемой за один период). Результаты позволят предсказывать параметры генерации эрбиевых волоконных лазеров и оптимизировать их работу для различных задач.

  • Александр Смирнов, профессор базовой кафедры «Наноэлектроника и фотоника» при Институте радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН факультета физики НИУ ВШЭ

Работа поддержана грантом Российского научного фонда

Фото: freepik

Развитие биоэкономики. В Москве начал работу II Международный форум природоподобных технологий
Имени Петрасова. Гора в Дагестане названа в честь географа МГУ