Нечасто результаты российских ученых попадают в оксфордские учебники. В нашем случае автор обнаружил это случайно:
— Меня пригласили на конференцию по электронной микроскопии в Оксфорд, а потом организаторы попросили прочитать лекцию студентам. И меня буквально засыпали вопросами, причем все дельные. Я даже преисполнился гордости за свой английский, но тут один из студентов спросил меня насчет эффекта, о котором я в лекции рассказать не успел. Тут и выяснилось, что мои результаты со ссылкой на автора описаны в двух учебниках издательства Cambridge University Press, — вспоминает академик Латышев.
Академик А.В.Латышев - директор Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Его самая цитируемая научная работа Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation/ «Трансформации на чистой ступенчатой поверхности кремния Si(111) во время сублимации» опубликована в журнале Surface Science в 1989 году и посвящена фундаментальному явлению — открытию эффекта эшелонирования атомных ступеней на поверхности кремния под действием постоянного электрического тока.
В наномасштабе поверхность любого кристалла (кремния в том числе) не идеально ровная, а состоит из атомно-гладких участков, разделенных ступенями высотой как минимум в одно межатомное расстояние. Именно свойства поверхности определяют область применения полупроводникового кристалла. С активным участием новосибирского ученого был создан метод уникальной сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии, что позволило рассмотреть очень тонкие процессы на поверхности полупроводниковых пленок и гетероструктур.
— Вы сразу выбрали область научных интересов или были метания?
— Когда нас, студентов Новосибирского государственного университета, привели в Институт физики полупроводников, нам о своей работе рассказывали заведующие лабораториями. Особенно впечатлил один - молодой, увлеченный, волосы ершиком. Все рассказывал о какой-то эпитаксии. Что такое эпитаксия, мы не знали, но его воодушевление притягивало. Это был Сергей Иванович Стенин, человек, который поставил технологию выращивания тонких полупроводниковых слоев в условиях сверхвысокого вакуума - молекулярно-лучевую эпитаксию - в Институте физики полупроводников. В молекулярно-лучевой эпитаксии важно понимать, как именно растет пленка на атомном уровне. Предполагалось, что я буду это изучать с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Но тут Сергей Иванович съездил в Москву на международную конференцию по росту кристаллов, где японские профессора Хонжа и Яги представили отражательный электронный микроскоп, который реально показывал монотонные ступеньки на поверхности кристалла.
И Сергей Иванович поручил мне и моему научному руководителю Александру Леонидовичу Асееву изучить японский прототип и сделать такой микроскоп, взяв за основу старый ламповый японский (JEOL), имевшийся в лаборатории. В институте кристаллы росли в огромных вакуумных установках, а мне надо было «поместить» «Катунь» между линзами микроскопа. В итоге сделали вакуумную камеру размером в треть стакана. В камере находился образец, который нагревали, пропуская электрический ток, и могли напылять атомы на поверхность. При этом в камере поддерживался сверхвысокий вакуум, были предусмотрены вводы и выводы для электронного пучка.
Сегодня в мире подобное оборудование и методика исследования поверхности кристалла методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии развиваются только в ИФП СО РАН. Много лет спустя я делал доклад в японской компании JEOL — это признанный лидер в производстве электронных микроскопов. Когда они узнали, на базе какой старинной модели мы сделали свой вариант отражательного электронного микроскопа, аплодировали стоя.
Подробности — в интервью Ольги Колесовой «На разрыв научной парадигмы» в очередном номере газеты «Поиск».
