Российские ученые улучшили элементы памяти для гибкой электроники, облучив фторированный графен тяжелыми ионами - Поиск - новости науки и техники
Поиск - новости науки и техники

Российские ученые улучшили элементы памяти для гибкой электроники, облучив фторированный графен тяжелыми ионами

21.06.2022

Ученые  Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), Объединенного института ядерных исследований (ОИЯИ), Новосибирского государственного технического университета, Университета Николая Коперника в Польше модифицировали фторированный графен: удалили фтор и создали проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. На основе таких структур были сделаны мемристоры ― элементы памяти, которые применяются для создания гибких датчиков в носимой электронике, медицинских, производственных сенсорах. Детали работы исследователей опубликованы в журнале Materials. 

Новое исследование — продолжение работы специалистов ИФП СО РАН по созданию элементов памяти для гибкой электроники на основе соединений графена. Ранее эта же научная группа сделала мемристоры, модифицируя графен химическим путем, с целью получить систему квантовых точек в матрице фторированного графена. Преимущество облучения в том, что оно позволяет добиться создания такой системы (нужной для работы мемристоров), более контролируемо и воспроизводимо. Исследование поддержано Российским научным фондом (проект № 19-72-10046, руководитель Небогатикова Н.А.).

Мемристор ― микроэлектронный компонент, по своим свойствам похожий на синапс — место контакта двух нейронов. В отличие от транзистора, мемристор способен не только передавать информацию в режиме “0” или “1”, а еще присвоить ей уровень значимости. Мемристоры способны «запоминать» количество протекшего через них заряда и менять свое сопротивление в зависимости от этого. Если подать высокое напряжение, мемристорная система станет открытой ― будет проводить электрический ток, а при смене полярности напряжения ― закроется.

«Наши мемристорные системы на основе облученного фторированного графена открываются и закрываются благодаря формированию и разрушению путей протекания электрического тока по графеновым квантовым точкам. Разница токов в открытом и закрытом состоянии — 2-4 порядка: такого диапазона достаточно, чтобы сделать ячейки памяти. Мемристорная память энергонезависима и совмещает в себе достоинства оперативной и флеш-памяти. Переключение мемристора (из закрытого в открытое состояние), то есть перезапись информации, происходит за 30-40 наносекунд. Это примерно в 1000 раз быстрее, чем у современной флеш-памяти. Наносекунда — миллиардная доля секунды», — поясняет автор исследования, научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Артём Ильич Иванов.

 


Измерение электрофизических параметров мемристорных структур
(фото
предоставлено А. Ивановым)

Пресс-служба ИФП СО РАН

Нет комментариев

Загрузка...
Новости СМИ2