Новосибирские ученые создали новый материал для гибкой электроники - Поиск - новости науки и техники
Поиск - новости науки и техники

Новосибирские ученые создали новый материал для гибкой электроники

13.11.19

Новосибирским физикам удалось добиться рекордных параметров для гибких элементов памяти. Новый материал представляет собой композит, состоящий из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном. Его количество циклов перезаписи достигает нескольких миллионов, разница токов проводящего и непроводящего состояния мемристора — 6—9 порядков, а время переключения — наносекунды.

По словам ученых, перед ними стояла задача создать мемристорный материал для гибкой электроники, для этих целей хорошо подходит фторированный графен: он сохраняет стабильность при многократных переключениях, устойчив к изменениям температуры, механическим воздействиям. Однако его недостатком является небольшая (1—2 порядка) разница токов для открытого (проводящего) и закрытого (непроводящего) состояния мемристора.

“Чтобы решить проблему, мы добавляли к фторированному графену материалы, позволяющие увеличить резистивный эффект. Лучший результат показали композитные пленки, состоящие из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия — разница между токами в открытом и закрытом состояниях достигала девяти порядков. Если сравнивать с мировой практикой, аналогичные величины наблюдают при использовании полимеров или оксида графена, но первые нестабильны, легко деградируют, а второй позволяет переключать мемристор лишь сотни раз»,

— рассказал Артем Иванов, младший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН.

Нет комментариев

Загрузка...
Новости СМИ2