Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники
Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
заведующего лабораторией исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах; специальность “Автоматизированные системы обработки информации и управления”; наличие степени — 1 вакансия;
заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС; специальность “Электронное машиностроение”, наличие степени — 1 вакансия;
заведующего лабораторией фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность “Физика металлов”, наличие степени — 1 вакансия;
старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность “Микроэлектроника и полупроводниковые приборы”; наличие степени — 1 вакансия;
старшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах; специальность “Прикладные математика и физика”; наличие степени — 1 вакансия.
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр-д, д. 7, стр. 5.
Срок подачи документов — с 24 августа 2012 года по 24 октября 2012 года включительно.
Телефон для справок: (499) 123-62-22.
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru.
Нет комментариев